BCX12

更新时间： 2024-10-27 22:27:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管
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4页	145K
描述
NPN Silicon AF Switching Transistor (For general AF applications High breakdown voltage)

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BCX12 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	25	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

BCX12 数据手册

NPN Silicon AF Switching Transistor

BCX 12

● For general AF applications

● High breakdown voltage

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary type: BCX 13 (PNP)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

Pin Configuration

BCX 12

Q62702-C25

TO-92

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

125

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

800

Peak collector current

Base current

100

200

625

150

Peak base current

Total power dissipation, T

Junction temperature

= 66 ˚C

Ptot

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient

Junction - case²⁾

th JA

th JC

≤ 200

≤ 135

K/W

For detailed information see chapter Package Outlines.

Mounted on Al heat sink 15 mm × 25 mm × 0.5 mm.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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