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BCX17 PDF预览

BCX17

更新时间： 2024-11-25 08:50:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
PNP small signal transistor

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BCX17 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.03
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：15 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

BCX17 数据手册

 浏览型号BCX17的Datasheet PDF文件第2页 
BCX17  
Transistors  
PNP small signal transistor  
BCX17  
Small load switch transistor with high gain and Low saturation voltage.  
zFeatures  
zDimensions (Unit : mm)  
1) High gain and low saturation voltage.  
2) Ideal for small load switching applications.  
3) Complements the BCX19.  
SST3  
2.9  
0.4  
0.95  
0.45  
( )  
3
zPackaging specifications  
( )  
2
( )  
1
Package  
Taping  
T116  
0.95  
0.95  
0.15  
1.9  
Type  
Code  
(1)Emitter  
(2)Base  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : GT1  
BCX17  
(3)Collector  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−50  
−45  
−5  
Unit  
VCES  
V
V
V
A
A
Collector-emitter voltage (VBE=0)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Emitter-base voltage  
V
CEO  
EBO  
V
Collector current  
IC  
−0.5  
−1  
Collector current (peak value)  
ICM  
0.2  
0.35  
0.425  
150  
W
W
W
°C  
∗
Collector power dissipation  
PC  
∗2  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
−65 to 150  
°C  
Mounted on a 7  
Mounted on a 15  
×
5
×
×
0.6 mm CERAMIC SUBSTRATE  
×
∗
∗
2
15 0.6 mm CERAMIC SUBSTRATE  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Collector-emitter breakdown voltage BVCES  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
−50  
−45  
−5  
−
−
−
−
I
I
I
C
= −50  
= −10mA  
= −50  
µ
A
−
−
V
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector-base cutoff current  
Emitter-base cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
BVEBO  
CBO  
−
V
E
µ
A
I
−
−0.1  
−10  
−0.62  
−1.2  
600  
−
µ
µ
A
A
V
CB= −20V  
EB= −5V  
I
EBO  
CE(sat)  
BE(on)  
−
−
V
V
−
−
V
I
C/I  
B
= −500mA/ −50mA  
V
−
−
V
−
V
V
V
V
V
V
CE/IC= −1V/ −500mA  
100  
70  
40  
−
−
CE= −1V, I  
CE= −1V, I  
CE= −1V, I  
CE= −5V, I  
C
C
C
= −100mA  
= −300mA  
= −500mA  
DC current transfer ratio  
h
FE  
−
−
−
Transition frequency  
f
T
200  
−
−
MHz  
E
= −20mA, f=100MHz  
Collector-base cutoff current  
I
CBO  
−
−5  
µ
A
CB= −20V, Ta=150°C  
1/1  
12

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BCX17 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCX17,235 NXP

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