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BCV29T/R

更新时间: 2024-11-24 19:58:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 117K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BCV29T/R 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-89包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.2Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):4000JEDEC-95代码:TO-243AA
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):220 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

BCV29T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BCV29; BCV49  
NPN Darlington transistors  
Product data sheet  
2004 Dec 06  
Supersedes data of 1999 Apr 08  

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