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BCV46

更新时间： 2024-11-25 11:10:59

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安世 - NEXPERIA		/
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10页	1043K
描述
PNP Darlington transistorProduction

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BCV46 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	Base Number Matches：	1

BCV46 数据手册

BCV46

PNP Darlington transistor

1 January 2023

Product data sheet

1. General description

PNP Darlington transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: BCV47

2. Features and benefits

•

High current

•

High current gain

3. Applications

•

For general AF applications and where high amplification is required

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_CBO

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-80

Unit

collector-base voltage open emitter

V_CES

collector-emitter

voltage

base short-circuited to emitter

-60

I_C

collector current

-500

-800

I_CM

h_FE

peak collector current

DC current gain

V_CE= -5 V; I_C= -100 mA; T_amb= 25 °C [1]

10000

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

base

Simplified outline

Graphic symbol

emitter

TR1

collector

TR2

aaa-034789

SOT23

12 3 4 5 6 7...10

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与BCV46相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCV46,215	NXP	获取价格	BCV26; BCV46 - PNP Darlington transistors TO-236 3-Pin
BCV46/T1	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV46BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCV46E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV46E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV46LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
BCV46Q	DIODES	获取价格	PNP, 50V, 0.5A, SOT23
BCV46-Q	NEXPERIA	获取价格	PNP Darlington transistorProduction
BCV46-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV46T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI