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BCV47 PDF预览

BCV47

更新时间： 2024-11-17 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

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BCV47 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.39最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：220 MHzBase Number Matches：1

BCV47 数据手册

 浏览型号BCV47的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
BCV47  
Semiconductor Corp.  
NPN  
SILICON DARLINGTON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCV47 type is  
a Silicon NPN Darlington Transistor manufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for applications  
requiring extremely high gain.  
Marking Code is FG.  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
V
V
V
80  
60  
10  
500  
800  
100  
350  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
CM  
V
mA  
mA  
mA  
mW  
I
I
I
P
B
D
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX UNITS  
I
I
V
V
=30V  
=10V  
100  
100  
nA  
nA  
V
V
V
CBO  
EBO  
CEO  
CBO  
EBO  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
T
CB  
BE  
BV  
BV  
BV  
V
V
h
h
h
f
I =10mA  
60  
80  
10  
C
I =10µA  
C
I =100nA  
E
I =100mA, I = 0.1mA  
1.0  
1.5  
V
V
C
B
B
C
I =100mA, I = 0.1mA  
C
V
=5.0V, I = 1.0mA  
=5.0V, I = 10mA  
C
=5.0V, I = 100mA  
2,000  
4,000  
10,000  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
C
C
=5.0V, I = 30mA, f=100MHz  
220  
MHz  
R0 ( 07-December 2001)  
12

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与BCV47相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCV47,215 NXP

获取价格

 		BCV27; BCV47 - NPN Darlington transistors TO-236 3-Pin
BCV47,235 NXP

获取价格

 		BCV27; BCV47 - NPN Darlington transistors TO-236 3-Pin
BCV47/T1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR DARLINGTON
BCV47/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV47/T4 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV47_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
BCV47_15 DIODES

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 		60V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23
BCV47BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCV47BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCV47E6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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