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BCV46,215

更新时间: 2024-11-20 19:56:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 58K
描述
BCV26; BCV46 - PNP Darlington transistors TO-236 3-Pin

BCV46,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:7最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):10000JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):220 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

BCV46,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BCV26; BCV46  
PNP Darlington transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 13  
Supersedes data of 1999 Apr 08  

BCV46,215 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAT721A NXP

完全替代

Schottky barrier double diodes
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