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BC875

更新时间: 2024-11-17 22:39:27
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 48K
描述
NPN Darlington transistors

BC875 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.77其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.6 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:1.8 VBase Number Matches:1

BC875 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC875; BC879  
NPN Darlington transistors  
1999 May 28  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 22  

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