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BC878-T/R

更新时间: 2024-11-18 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 52K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BC878-T/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.8
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):700 ns最大开启时间(吨):500 ns
VCEsat-Max:1.8 VBase Number Matches:1

BC878-T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC878  
PNP Darlington transistor  
1999 May 31  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 22  

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