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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 1.8 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC878 | NXP |
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PNP Darlington transistor |
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| BC878 | INFINEON |
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PNP Silicon Darlington Transistors (High current gain High collector current) |
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| BC878-AMMO | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma |
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| BC878AW | WEITRON |
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Transistor |
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| BC878BW | WEITRON |
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Transistor |
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| BC878CW | WEITRON |
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Transistor |
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| BC878-T/R | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43, 3 PIN, |
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| BC879 | NXP |
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NPN Darlington transistors |
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| BC879 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Darlington Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation vol |
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| BC879,112 | NXP |
获取价格 |
BC879 |
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