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BC879

更新时间： 2024-11-17 22:39:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管达林顿晶体管开关
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4页	177K
描述
NPN Silicon Darlington Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation voltage

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BC879 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BC879 数据手册

NPN Silicon Darlington Transistors

BC 875

… BC 879

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BC 876, BC 878

BC 880 (PNP)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

Pin Configuration

BC 875

BC 877

BC 879

–

C62702-C853

C62702-C854

C62702-C855

TO-92

Maximum Ratings

Parameter

Symbol Values

Unit

BC 875

BC 877

BC 879

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

100

Peak collector current

Base current

100

200

0.8 (1)

150

Peak base current

Total power dissipation, T

= 90 ˚C²⁾

tot

Junction temperature

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JC

≤ 156

≤ 75

K/W

Junction - case³⁾

For detailed information see chapter Package Outlines.

If transistors with max. 4 mm lead length are fixed on PCBs with a min. 10 mm × 10 mm large copper area for

the collector terminal, R^thJA= 125 K/W and thus Ptot max = 1 W at TA = 25 ˚C.

Mounted on Al heat sink 15 mm × 25 mm × 0.5 mm.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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