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BC879,112 PDF预览

BC879,112

更新时间: 2024-11-18 21:18:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 55K
描述
BC879

BC879,112 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.77其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:1.8 VBase Number Matches:1

BC879,112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC875; BC879  
NPN Darlington transistors  
Product specification  
2004 Nov 05  
Supersedes data of 1999 May 28  

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