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BC876

更新时间： 2024-01-12 11:38:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管达林顿晶体管
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4页	173K
描述
PNP Silicon Darlington Transistors (High current gain High collector current)

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技术参数
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BC876 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.8 V
Base Number Matches：	1

BC876 数据手册

PNP Silicon Darlington Transistors

BC 876

… BC 880

● High current gain

● High collector current

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BC 875, BC 877,

BC 879 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

Pin Configuration

BC 876

BC 878

BC 880

–

C62702-C943

C62702-C942

C62702-C941

TO-92

Maximum Ratings

Parameter

Symbol Values

Unit

BC 876

BC 878

BC 880

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

100

Peak collector current

Base current

100

200

0.8 (1)

150

Peak base current

Total power dissipation, T

= 90 ˚C²⁾

tot

Junction temperature

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JC

≤ 156

≤ 75

K/W

Junction - case³⁾

For detailed information see chapter Package Outlines.

If transistors with max. 4 mm lead length are fixed on PCBs with a min. 10 mm × 10 mm large copper area for

the collector terminal, R^thJA= 125 K/W and thus Ptot max = 1 W at TA = 25 ˚C.

Mounted on Al heat sink 15 mm × 25 mm × 0.5 mm.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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