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BC878

更新时间: 2024-11-17 22:39:27
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 52K
描述
PNP Darlington transistor

BC878 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.88Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.83 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz最大关闭时间(toff):700 ns
最大开启时间(吨):500 nsVCEsat-Max:1.8 V
Base Number Matches:1

BC878 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC878  
PNP Darlington transistor  
1999 May 31  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 22  

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