BC858C-TP

更新时间： 2024-02-27 11:11:29

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
PNP Small Signal Transistor310mW

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BC858C-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858C-TP 数据手册

BC856A

THRU

BC858C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Ideally Suited for Automatic Insertion

PNP Small

Signal Transistor

310mW

ꢀ

150^oC Junction Temperature

For Switching and AF Amplifier Applications

Mechanical Data

ꢀ Case: SOT-23, Molded Plastic

SOT-23

ꢀ Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

ꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ Weight: 0.008 grams ( approx.)

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

Type

Marking

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

DIMENSIONS

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

Charateristic

Symbol Value Unit

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

-80

-50

-30

-65

-45

-30

-5.0

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

.085

.37

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Suggested Solder

Pad Layout

-100

-200

310

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation@T_s=50^oC(Note1)

I_CM

I_EM

P_d

.031

.800

.035

.900

Operating & Storage Temperature

T_j, T_STG-55~150 ^oC

.079

2.000

inches

Note: 1. Package mounted on ceramic substrate 0.7mm X 2.5cm²area.

2. Current gain subgroup “ C” is not available for BC856

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 5

2008/01/01

12 3

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BC858C-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC858C	FAIRCHILD	类似代替	Switching and Amplifier Applications
BC858C-7-F	DIODES	功能相似	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC858C-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858C-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC858CTR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CTR13LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CTRL	NXP	获取价格	暂无描述
BC858CTRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858CTRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CV	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
BC858CV	YANGJIE	获取价格	SOT-563
BC858CW	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CW	DIOTEC	获取价格	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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