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BC858CW-13 PDF预览

BC858CW-13

更新时间： 2024-01-28 03:09:26
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BC858CW-13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.01最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：420JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

BC858CW-13 数据手册

 浏览型号BC858CW-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC858CW-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BC856AW BC856BW BC857AW BC857BW BC857CW BC858AW BC858BW BC858CW  
BC856AW - BC858CW  
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
SOT-323  
Min  
Complementary NPN Types Available (BC846W-BC848W)  
For Switching and AF Amplifier Applications  
A
Dim  
A
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
C
0.25  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
B
1.15  
C
B
C
2.00  
Mechanical Data  
B
E
D
0.65 Nominal  
G
H
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
·
·
Case: SOT-323  
G
H
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
J
M
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
J
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
D
F
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 6, on Page 2  
L
M
·
·
Pin Connections: See Diagram  
a
Marking Code: See Table Below & Diagram  
on Page 2  
All Dimensions in mm  
·
·
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
Marking Code (Note 2)  
Type  
Marking  
K3A  
Type  
Marking  
K3G  
BC856AW  
BC856BW  
BC857AW  
BC857BW  
BC857CW  
BC858AW  
BC858BW  
BC858CW  
K3B  
K3J, K3A, K3V  
K3K, K3B, K3W  
K3L, K3G  
K3V, K3A  
K3W, K3B  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
-80  
-50  
-30  
Collector-Base Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCBO  
V
-65  
-45  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCEO  
V
VEBO  
IC  
-5.0  
-100  
V
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
ICM  
Peak Collector Current  
-200  
IEM  
Peak Emitter Current  
-200  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
200  
RqJA  
Tj, TSTG  
625  
-65 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856W.  
3. No purposefully added lead.  
DS30251 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
BC856AW - BC858CW  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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与BC858CW-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858CW-7 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CWE6327 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CWG LGE

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 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
BC858CW-G COMCHIP

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 		Small Signal Transistor
BC858CW-HF COMCHIP

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC858CWQ YANGJIE

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 		SOT-323
BC858CWT/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
BC858CWT1 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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