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BC858CW-7

更新时间： 2024-01-17 10:06:13

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美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC858CW-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	420	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BC858CW-7 数据手册

BC856AW - BC858CW

PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features

Ideally Suited for Automatic Insertion

SOT-323

Complementary NPN Types Available

(BC846W-BC848W)

Dim

Min

0.25

1.15

2.00

Max

0.40

1.35

2.20

For Switching and AF Amplifier Applications

Mechanical Data

Case: SOT-323, Molded Plastic

0.65 Nominal

Case material - UL Flammability Rating

Classification 94V-0

0.30

1.20

1.80

0.0

0.40

1.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.18

8°

Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method ^K

208

0.90

0.25

0.10

0°

Pin Connections: See Diagram

Marking Code: See Table Below & Diagram

on Page 2

Ordering & Date Code Information: See Page 2

Approx. Weight: 0.006 grams

Marking Code (Note 2)

All Dimensions in mm

Type

Marking

K3A

Type

Marking

K3G

BC856AW

BC856BW

BC857AW

BC857BW

BC857CW

BC858AW

BC858BW

BC858CW

K3B

K3J, K3A, K3V

K3K, K3B, K3W

K3L, K3G

K3V, K3A

K3W, K3B

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

Value

Unit

-80

-50

-30

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

V_CBO

-65

-45

-30

Collector-Emitter Voltage

BC856

BC857

BC858

V_CEO

V_EBO

I_C

-5.0

-100

°C/W

°C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

I_CM

Peak Collector Current

-200

I_EM

Peak Emitter Current

-200

P_d

Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

200

R_qJA

T_j, T_STG

625

-65 to +150

Notes:

1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout

document AP02001, which can be found on ourwebsite at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856W.

DS30251 Rev. A-2

1 of 2

BC856AW - BC858CW

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BC858CW-7 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC858C-7-F	DIODES	类似代替	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CW	DIOTEC	功能相似	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

与BC858CW-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858CWE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CWG	LGE	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
BC858CW-G	COMCHIP	获取价格	Small Signal Transistor
BC858CW-HF	COMCHIP	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC858CWQ	YANGJIE	获取价格	SOT-323
BC858CWT/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-323
BC858CWT1	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC858CWT1	LRC	获取价格	General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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