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BC858F

更新时间: 2024-01-03 21:13:42
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 44K
描述
PNP general purpose transistors

BC858F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):125JESD-609代码:e3
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC858F 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC856F; BC857F; BC858F series  
PNP general purpose transistors  
1999 May 21  
Preliminary specification  
Supersedes data of 1998 Nov 10  

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