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BC858E

更新时间： 2023-12-06 20:02:52

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先科 - SWST		晶体管
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5页	233K
描述
小信号晶体管

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BC858E 数据手册

BC856E…BC860E

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

BC856E

BC857E, BC860E

BC858E, BC859E

BC856E

BC857E, BC860E

BC858E, BC859E

Collector Emitter Voltage

-V_CEO

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_EBO

-I_C

100

℃

Peak Collector Current

Power Dissipation

-I_CM

P_tot

T_j

200

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 65 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 18/04/2022 Rev: 02

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