5秒后页面跳转
BC858CW-TAPE-7 PDF预览

BC858CW-TAPE-7

更新时间: 2024-01-20 08:01:10
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BC858CW-TAPE-7 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.01
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:5 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):420JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BC858CW-TAPE-7 数据手册

 浏览型号BC858CW-TAPE-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC858CW-TAPE-7的Datasheet PDF文件第3页 

与BC858CW-TAPE-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858D SWST

获取价格

小信号晶体管
BC858E SWST

获取价格

小信号晶体管
BC858F NXP

获取价格

PNP general purpose transistors
BC858F AUK

获取价格

PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC858F KODENSHI

获取价格

General purpose application
BC858FA KODENSHI

获取价格

TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR
BC858G-X-AE3-R UTC

获取价格

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC858G-X-AL3-R UTC

获取价格

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC858-HF COMCHIP

获取价格

General Purpose Transistor
BC858L-A-AE3-6-R UTC

获取价格

Transistor