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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC858CWT1
BC858CWT1 PDF预览

BC858CWT1

更新时间： 2024-02-02 15:22:18
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 181K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC858CWT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.26
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：420JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.15 W最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.65 V

BC858CWT1 数据手册

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by BC856AWT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is  
designed for low power surface mount applications.  
1
Motorola Preferred Devices  
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC856 BC857 BC858  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
V
V
–65  
–80  
–45  
–50  
–30  
–30  
CEO  
CBO  
EBO  
1
V
2
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
V
CASE 419–02, STYLE 3  
SOT–323/SC–70  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
P
D
150  
mW  
T
A
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
833  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC856AWT1 = 3A; BC856BWT1 = 3B; BC857AWT1 = 3E; BC857BWT1 = 3F;  
BC858AWT1 = 3J; BC858BWT1 = 3K; BC858CWT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = –10 µA, V  
C
= 0)  
EB  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –1.0 A)  
E
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current (V  
Collector Cutoff Current (V  
= –30 V)  
= –30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
–15  
–4.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
12345678

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BC858CWT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC858CLT1 LRC

功能相似

 General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC858CWT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858CWT1 MOTOROLA

获取价格

 		CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70
BC858CWT3 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CW-TAPE-13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858CW-TAPE-7 NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR

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