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BC858CWT1

更新时间： 2024-01-08 19:02:24
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 215K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC858CWT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.26
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：420JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.15 W最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.65 V

BC858CWT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistors  
PNP Silicon  
BC856AWT1, BWT1  
BC857AWT1, BWT1  
BC858AWT1, BWT1  
These transistors are designed for general purpose  
amplifier applications. They are housed in the SOT–323/  
SC–70 which is designed for low power surface mount  
3
COLLECTOR  
applications.  
1
CWT1  
BASE  
2
EMITTER  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
BC856  
–65  
BC857  
BC858  
–30  
Unit  
2
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
–45  
–50  
V
CASE 419–02, STYLE 3  
–80  
–30  
V
V
SOT– 323 / SC-70  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
P D  
150  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
833  
°C/W  
°C  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
BC856AWT1 = 3A; BC856BWT1 = 3B; BC857AWT1 = 3E; BC857BWT1 = 3F;  
BC858AWT1 = 3J; BC858BWT1 = 3K; BC858CWT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = –10 mA)  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
– 65  
– 45  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 5.0  
– 5.0  
– 5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V (BR)CEO  
V (BR)CES  
V (BR)CBO  
v
v
v
v
—
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
—
(IC = –10 µA, VEB = 0)  
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage BC856 Series  
—
(IC = – 10 µA)  
BC857 Series  
BC858 Series  
BC856 Series  
BC857 Series,  
BC858 Series  
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
—
(IE = – 1.0 µA)  
V (BR)EBO  
—
—
Collector Cutoff Current (VCB = – 30 V)  
(VCB = – 30 V, TA = 150°C)  
– 15  
– 4.0  
nA  
I CBO  
—
µA  
1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in  
K5–1/5  
12345

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与BC858CWT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858CWT1 MOTOROLA

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 		CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70
BC858CWT3 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CW-TAPE-13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858CW-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858D SWST

获取价格

 		小信号晶体管
BC858E SWST

获取价格

 		小信号晶体管
BC858F NXP

获取价格

 		PNP general purpose transistors
BC858F AUK

获取价格

 		PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC858F KODENSHI

获取价格

 		General purpose application
BC858FA KODENSHI

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR

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