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BC858CW PDF预览

BC858CW

更新时间： 2024-02-18 23:22:50
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
5页 464K
描述
PNP General Purpose Transistors

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BC858CW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC858CW 数据手册

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M C C  
BC856AW/BW  
BC857AW/BW/CW  
BC858AW/BW/CW  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Complementary PNP Silicon Types Available  
For Switching and AF Amplifier Applications  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
PNP  
General Purpose  
Transistors  
•
•
•
·
·
Maximum Ratings  
SOT-323  
A
•
•
•
Operating temperature : -65R to +150R  
Storage temperature : -65R to +150R  
D
C
Marking: BC856AW---3A ; BC856BW---3B  
BC857AW---3E ; BC857BW---3F ; BC857CW---3G  
BC858AW---3J ; BC858BW---3K ; BC858CW---3L  
C
B
E
B
F
E
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10µAdc, IE=0)  
H
G
J
BC856AW,BW  
---  
---  
---  
80  
50  
30  
Vdc  
K
BC857AW,BW,CW  
BC858AW,BW,CW  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
DIMENSIONS  
INCHES  
V(BR)CEO  
MM  
(IC=10mAdc, IB=0)  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MAX  
.087  
.053  
.087  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
NOTE  
BC856AW,BW  
---  
---  
---  
65  
45  
30  
Vdc  
Vdc  
2.20  
1.35  
2.20  
BC857AW,BW,CW  
BC858AW,BW,CW  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
---  
---  
F
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
Collector Cut-off Current (VCB=30v)  
(VCB=30v,TA=150к)  
15  
4
nAdc  
uAdc  
G
H
J
HFE(1)  
DC Current Gain(VCE=5V, IC=2mA)  
BC856AW,BC857AW,BC858AW  
BC856BW,BC857BW,BC858CW  
BC857CW,BC858CW  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mA, IB=5mA)  
K
125  
220  
420  
250  
475  
800  
---  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
---  
---  
0.65  
Vdc  
Vdc  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mA, IB=5mA)  
1.10  
0.90  
fT  
Transition Frequency  
(VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz)  
Noise Figure  
(VCE=5v,Ic=200uA,Rs=2kohm,f=1kHz)  
Collector-Base Capacitance  
(VCB=10v,f=1.0kHz)  
100  
---  
200  
10  
MHz  
dB  
1.90  
NF  
inches  
mm  
CCBO  
---  
---  
---  
---  
4.5  
150  
625  
100  
pF  
mW  
к/W  
mA  
Pd  
RJA  
Ic  
Power Dissipation  
0.65  
Thermal Resistance,Juncition to  
Ambient  
Collector Current - Continuous  
0.65  
Note 1: Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 5  
12345

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与BC858CW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858CW-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858CW-7 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CWE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6433 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CWG LGE

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 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
BC858CW-G COMCHIP

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 		Small Signal Transistor
BC858CW-HF COMCHIP

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC858CWQ YANGJIE

获取价格

 		SOT-323
BC858CWT/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323

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