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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC858C
BC858C PDF预览

BC858C

更新时间： 2024-02-27 00:35:08
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 63K
描述
Switching and Amplifier Applications

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BC858C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC858C 数据手册

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BC856/857/858/859/860  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
•
Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits  
3
Low Noise: BC859, BC860  
Complement to BC846 ... BC850  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-80  
-50  
-30  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-65  
-45  
-30  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-100  
V
EBO  
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
310  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-15  
Units  
I
V
V
= -30V, I =0  
nA  
CBO  
CB  
E
h
= -5V, I = -2mA  
110  
800  
FE  
CE  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-90  
-250  
-300  
-650  
mV  
mV  
CE  
BE  
BE  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-700  
-900  
mV  
mV  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
V
V
= -5V, I = -2mA  
-600  
-660  
-750  
-800  
mV  
mV  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -10mA  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
150  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
V
V
= -10V, I =0, f=1MHz  
6
pF  
ob  
CB  
E
NF  
Noise Figure  
: BC856/857/858  
: BC859/860  
: BC859  
= -5V, I = -200µA  
2
1
1.2  
1.2  
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
dB  
CE  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
G
V
= -5V, I = -200µA  
CE  
C
: BC860  
R =2KΩ, f=30~15000Hz  
2
G
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
12345

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BC858C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC858CMTF FAIRCHILD

完全替代

 PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC858C-TP MCC

类似代替

 PNP Small Signal Transistor310mW
BC858CLT1G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC858C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858C/E8 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC858C/E9 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC858C-3L ETC

获取价格

 		SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858C-7 DIODES

获取价格

 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858C-7-F DIODES

获取价格

 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858-C-AE3-6-R UTC

获取价格

 		Transistor
BC858-C-AE3-R UTC

获取价格

 		SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC858-C-AL3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
BC858C-AU PANJIT

获取价格

 		SOT-23
BC858CD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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