BC858CMTF

更新时间： 2024-01-21 01:42:28

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	150K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC858CMTF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858CMTF 数据手册

August 2006

BC856- BC860

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features

•

Switching and Amplifier Applications

Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits

Low Noise: BC859, BC860

Complement to BC846 ... BC850

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings* T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage

: BC856

: BC857/860

: BC858/859

-80

-50

-30

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

: BC856

: BC857/860

: BC858/859

-65

-45

-30

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

-5

-100

°C

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

310

T_J

150

T_STG

-65 ~ 150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Electrical Characteristics* T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Collector Cut-off Current

DC Current Gain

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

-15

Units

I_CBO

V_CB= -30V, I_E=0

h_FE

V_CE= -5V, I_C= -2mA

110

800

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage I_C= -10mA, I_B= -0.5mA

I_C= -100mA, I_B= -5mA

-90

-250

-300

-650

V_BE(sat)

V_BE(on)

f_T

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= -10mA, I_B= -0.5mA

I_C= -100mA, I_B= -5mA

-700

-900

Base-Emitter On Voltage

V_CE= -5V, I_C= -2mA

V_CE= -5V, I_C= -10mA

-600

-660

-750

-800

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

V_CE= -5V, I_C= -10mA

f=100MHz

150

MHz

C_ob

V_CB= -10V, I_E=0, f=1MHz

Noise Figure

: BC856/857/858

: BC859/860

V_CE= -5V, I_C= -200µA

R_G=2KΩ, f=1KHz

: BC859

: BC860

V_CE= -5V, I_C= -200µA

R_G=2KΩ, f=30~15000Hz

1.2

* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%

BC856- BC860 Rev. B

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

BC858CMTF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC859CMTF	FAIRCHILD	完全替代	PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC858C	FAIRCHILD	完全替代	Switching and Amplifier Applications
BC858CLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC858CMTF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858CQ	YANGJIE	获取价格	SOT-23
BC858CR	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858CR13	DIOTEC	获取价格	Transistor
BC858CRBK	CENTRAL	获取价格	暂无描述
BC858CRF	TSC	获取价格	250mW, PNP Small Signal Transistor
BC858CRFG	TSC	获取价格	250mW, PNP Small Signal Transistor
BC858CRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858CRPBFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC858CR-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858CR-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa

与BC858CMTF相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

7
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC858CMTF

BC858CMTF 技术参数

BC858CMTF 数据手册

BC858CMTF 替代型号

与BC858CMTF相关器件

与BC858CMTF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC858CMTF

BC858CMTF 技术参数

BC858CMTF 数据手册

BC858CMTF 替代型号

与BC858CMTF相关器件

与BC858CMTF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？