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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.46 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC858CR-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC858CRTIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BC858CS | BL Galaxy Electrical |
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-30V,-0.1A,General Purpose Dual PNP Bipolar Transistor |
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| BC858CS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC858CT | YANGJIE |
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SOT-523 |
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| BC858CT | BL Galaxy Electrical |
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30V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| BC858CT/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
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| BC858CT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
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| BC858CT117 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
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| BC858CT216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
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