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BC858C-TP-HF

更新时间： 2024-01-15 02:23:55

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美微科 - MCC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	512K
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Small Signal Bipolar Transistor,

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BC858C-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	420	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BC858C-TP-HF 数据手册

BC856A

THRU

BC858C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

PNP Small

Signal Transistor

200mW

ꢀ

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀ

Ideally Suited for Automatic Insertion

ꢀ

150^oC Junction Temperature

For Switching and AF Amplifier Applications

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-23

Mechanical Data

ꢀ Case: SOT-23, Molded Plastic

ꢀ Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

ꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ Weight: 0.008 grams ( approx.)

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

Type

Marking

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Charateristic

Symbol Value Unit

-80

-50

-30

-65

-45

-30

-5.0

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

V_CBO

.085

.37

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

Suggested Solder

Pad Layout

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

.031

.800

-100

-200

200

.035

.900

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation@T_s=50^oC(Note1)

I_CM

I_EM

P_d

.079

2.000

inches

Operating & Storage Temperature

T_j, T_STG-55~150 ^oC

.037

.950

Note: 1. Package mounted on ceramic substrate 0.7mm X 2.5cm²area.

2. Current gain subgroup “ C” is not available for BC856

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 5

Revision: D

2013/07/03

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858CTR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CTR13LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CTRL	NXP	获取价格	暂无描述
BC858CTRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858CTRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CV	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
BC858CV	YANGJIE	获取价格	SOT-563
BC858CW	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CW	DIOTEC	获取价格	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC858CW	SECOS	获取价格	BC856AW

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