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Datasheet > 暂无类别数据> BC858CW
BC858CW PDF预览

BC858CW

更新时间： 2024-01-24 08:33:02
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC858CW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC858CW 数据手册

 浏览型号BC858CW的Datasheet PDF文件第2页 
BC856AW - BC858CW  
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
Features  
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
SOT-323  
Complementary NPN Types Available  
(BC846W-BC848W)  
Dim  
A
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
A
C
·
For Switching and AF Amplifier Applications  
B
Mechanical Data  
C
B
C
·
·
Case: SOT-323, Molded Plastic  
D
0.65 Nominal  
B
E
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
G
H
G
H
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method K  
208  
M
J
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
J
·
·
Pin Connections: See Diagram  
L
D
F
L
Marking Code: See Table Below & Diagram  
on Page 2  
M
a
·
·
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Approx. Weight: 0.006 grams  
Marking Code (Note 2)  
All Dimensions in mm  
Type  
Marking  
K3A  
Type  
Marking  
K3G  
BC856AW  
BC856BW  
BC857AW  
BC857BW  
BC857CW  
BC858AW  
BC858BW  
BC858CW  
K3B  
K3J, K3A, K3V  
K3K, K3B, K3W  
K3L, K3G  
K3V, K3A  
K3W, K3B  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
-80  
-50  
-30  
Collector-Base Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCBO  
V
-65  
-45  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCEO  
V
VEBO  
IC  
-5.0  
-100  
V
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
ICM  
Peak Collector Current  
-200  
IEM  
Peak Emitter Current  
-200  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
200  
RqJA  
Tj, TSTG  
625  
-65 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on ourwebsite at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856W.  
DS30251 Rev. A-2  
1 of 2  
BC856AW - BC858CW  
12

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与BC858CW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858CW-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858CW-7 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CWE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6327HTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CWE6433 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CWG LGE

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BC858CW-G COMCHIP

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 		Small Signal Transistor
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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC858CWQ YANGJIE

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 		SOT-323
BC858CWT/R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323

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