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BC858CE6433HTMA1

更新时间: 2024-01-08 18:38:14
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英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 215K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BC858CE6433HTMA1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.33Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):125JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

BC858CE6433HTMA1 数据手册

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BC858CE6433HTMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC859CE6327HTSA1 INFINEON

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

与BC858CE6433HTMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858CF NXP

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PNP general purpose transistors
BC858CF2 YANGJIE

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858C-GS08 VISHAY

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858C-GS18 VISHAY

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858CHE3 MCC

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Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
BC858C-HF COMCHIP

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TRANS PNP 30V 100MA SOT23
BC858CL ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC858CL3 MCC

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Tape&Reel: 10Kpcs/Reel;
BC858CL99Z TI

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PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC858CLT ETC

获取价格

PNP Silicon General Purpose Transistors