5秒后页面跳转
BC858CE6327HTSA1 PDF预览

BC858CE6327HTSA1

更新时间: 2024-02-26 10:56:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 862K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BC858CE6327HTSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:4 weeks风险等级:5.5
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):420
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

BC858CE6327HTSA1 数据手册

 浏览型号BC858CE6327HTSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC858CE6327HTSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC858CE6327HTSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC858CE6327HTSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC858CE6327HTSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC858CE6327HTSA1的Datasheet PDF文件第7页 
BC857...-BC860...  
PNP Silicon AF Transistor  
For AF input stages and driver applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Low noise between 30 hz and 15 kHz  
Complementary types:  
BC847...-BC850... (NPN)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
1)  
Qualified according AEC Q101  
1
BC857BL3 is not qualified according AEC Q101  
Type  
BC857A  
BC857B  
BC857BL3*  
BC857BW  
BC857C  
BC857CW  
BC858A  
Marking  
3Es  
3Fs  
3F  
3Fs  
3Gs  
3Gs  
3Js  
Pin Configuration  
Package  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
SOT23  
TSLP-3-1  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT23  
SOT323  
SOT323  
BC858B  
3Ks  
3Ks  
3Ls  
BC858BW  
BC858C  
BC858CW  
BC859C  
BC860B  
3Ls  
4Cs  
4Fs  
4Fs  
4Gs  
BC860BW  
BC860CW  
* Not qualified according AEC Q101  
2011-09-19  
1

BC858CE6327HTSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC859CE6327HTSA1 INFINEON

类似代替

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC859CLT1 ONSEMI

功能相似

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC858CE6327HTSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858CE6433 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858CE6433HTMA1 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858CF NXP

获取价格

PNP general purpose transistors
BC858CF2 YANGJIE

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858C-GS08 VISHAY

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858C-GS18 VISHAY

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858CHE3 MCC

获取价格

Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
BC858C-HF COMCHIP

获取价格

TRANS PNP 30V 100MA SOT23
BC858CL ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC858CL3 MCC

获取价格

Tape&Reel: 10Kpcs/Reel;