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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC859CLT1
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BC859CLT1

更新时间： 2024-01-14 11:18:36
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC859CLT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC859CLT1 数据手册

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BC856ALT1 Series  
Preferred Devices  
General Purpose  
Transistors  
PNP Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
2
A
EMITTER  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−65  
−45  
−30  
V
BC858, BC859  
3
Collector-Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
BC856  
BC857  
−80  
−50  
−30  
V
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
1
BC858, BC859  
2
−5.0  
V
Collector Current − Continuous  
I
C
−100  
mAdc  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
xxM  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
1
2
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
xx = Device Code  
M = Date Code  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 8  
BC856ALT1/D  
 
12345678

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BC859CLT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC859CLT1G ONSEMI

完全替代

 General Purpose Transistors PNP Silicon
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功能相似

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