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BC858CLT1

更新时间： 2024-01-31 12:42:05

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC858CLT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.01
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	420
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC858CLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

PNP Silicon

COLLECTOR

BC856ALT1, BLT1

BC857ALT1, BLT1

BC858ALT1, BLT1

CLT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

BC856

–65

BC857

–45

BC858

–30

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

–80

–50

–30

–5.0

–100

–5.0

–100

–5.0

–100

mAdc

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

BC856ALT1 = 3A; BC856BLT1 = 3B; BC857ALT1 = 3E; BC857BLT1 = 3F;

BC858ALT1 = 3J; BC858BLT1 = 3K; BC858CLT1 = 3L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= –10 mA)

BC856 Series

BC857 Series

BC858 Series

BC856 Series

BC857 Series

BC858 Series

– 65

– 45

– 30

– 80

– 50

– 30

– 80

– 50

– 30

– 5.0

—

V _(BR)CEO

V _(BR)CES

V _(BR)CBO

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

—

(I_C= –10 µA, V_EB= 0)

—

Collector–Base Breakdown Voltage BC856 Series

—

(I_C= – 10 µA)

BC857 Series

BC858 Series

BC856 Series

BC857 Series,

BC858 Series

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

—

(I_E= – 1.0 µA)

V _(BR)EBO

—

Collector Cutoff Current (V_CB= – 30 V)

(V_CB= – 30 V, T_A= 150°C)

– 15

– 4.0

I _CBO

—

µA

1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M5–1/5

12 3 4 5

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BC858CLT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC858CMTF	ONSEMI	功能相似	PNP外延硅晶体管
BC858C-7-F	DIODES	功能相似	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858CLT3G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC858CLT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858CLT1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC858CLT1-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858CLT3	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC858CLT3G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC858CM	BL Galaxy Electrical	获取价格	30V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
BC858CM3	MCC	获取价格	Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;
BC858CMTF	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC858CMTF	ONSEMI	获取价格	PNP外延硅晶体管
BC858CQ	YANGJIE	获取价格	SOT-23
BC858CR	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa

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