BC856S-Q

更新时间： 2024-11-24 13:02:11

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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BC856S-Q 数据手册

BC 856 ... BC 860

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 856

65 V

80 V

BC 857/860 BC 858/859

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

45 V

50 V

30 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_BM

I_EM

T_j

200 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

T_S

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 ꢀA

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC856SQ62702C2532	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR SOT363
BC856ST/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-88, 6 PI
BC856S-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, PNP,
BC856T	NXP	获取价格	PNP general purpose transistors
BC856T	INFINEON	获取价格	PNP Silicon AF Transistor
BC856T	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC856-T	RECTRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
BC856-T	NXP	获取价格	100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN
BC856T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3
BC856TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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