BC856U

更新时间： 2024-02-03 05:31:43

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	270K
描述
General purpose application

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BC856U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC856U 数据手册

BC856U

PNP Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• General purpose application

• Switching application

Features

• High voltage : V_CEO=-55V

• Complementary pair with BC846U

SOT-323

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

CV □ □

① ② ③

BC856U

SOT-323

①Device Code ②hFE Rank ③Year&Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-80

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-55

-5

-100

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

BV_CEO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Emitter breakdown voltage

Base-Emitter turn on voltage

Base-Emitter saturation voltage

Collector-Emitter saturation voltage

Collector cut-off current

DC current gain

I_C=-1mA, I_B=0

-55

-700

V_BE(ON)

V_BE(sat)

V_CE(sat)

I_CBO

V_CE=-5V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-5mA

V_CB=-35V, I_E=0

-900

-650

-15

800

V_CE=-5V, I_C=-2mA

V_CB=-5V, I_C=-10mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

110

150

h_FE

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

Noise figure

C_ob

4.5

V_CE=-5V, I_C=-200μA,

f=1KHz,Rg=2KΩ

* : h_FErank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800

KSD-T5D036-000

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