BC856UF-A

更新时间： 2024-11-24 13:05:51

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	270K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP,

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BC856UF-A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	110
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

BC856UF-A 数据手册

BC856

PNP Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• General purpose application

• Switching application

Features

• High voltage : V_CEO=-55V

• Complementary pair with BC846

SOT-23

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

TA □ □

BC856

SOT-23

① ②

③

① Device Code ② hFE Rank ③ Year&Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-80

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-55

-5

-100

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CEO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Emitter breakdown voltage

Base-Emitter turn on voltage

Base-Emitter saturation voltage

Collector-Emitter saturation voltage

I_C=-2mA, I_B=0

-55

-700

V_BE(ON)

V_BE(sat)

V_CE(sat)

I_CBO

V_CE=-5V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-5mA

V_CB=-35V, I_E=0

-900

-650

-15

800

Collector cut-off current

DC current gain

110

V_CE=-5V, I_C=-2mA

V_CB=-5V, I_C=-10mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

h_FE

Transition frequency

Collector output capacitance

f_T

150

MHz

C_ob

4.5

V_CE=-5V, I_C=-200μA,

f=1KHz,Rg=2KΩ

Noise figure

* : h_FErank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800

KSD-T5C030-000

12 3 4

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