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BC856S-TP

更新时间： 2024-01-16 00:26:28

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美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	458K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, PNP,

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技术参数
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BC856S-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.54
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	110	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC856S-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

BC856S

Features

PNP

Plastic-Encapsulate

Transistors

200mW

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

 Multi-chip Transistor

 Ultra-Small Surface Mount Package

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Mechanical Data

Case: SOT-363

Marking: 5Ft



SOT-363

Maximum Ratings @@ 25^oC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Value

Units

OFF CHARACTERISTICS

I_CM

V(BR)CBO

P_d

Peak Collector Current

-100

-80

Collector-base Voltage

Power Dissipation @ T_A=25^oC

200

T_J, T_STG

Operating & Storage Temperature

-55~+150

^oC

DIMENSIONS

INCHES

MAX

DIM

MIN

.006

.045

.085

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

.014

.053

.096

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

---

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

Structure schematic diagram

BC856S

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: B

2013/01/01

12 3

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与BC856S-TP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC856T	NXP	PNP general purpose transistors	获取价格
BC856T	INFINEON	PNP Silicon AF Transistor	获取价格
BC856T	CENTRAL	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格
BC856-T	RECTRON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,	获取价格
BC856-T	NXP	100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN	获取价格
BC856T/R	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3	获取价格