BC856TC

更新时间： 2024-11-05 12:59:51

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美台 - DIODES		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	271K
描述
100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC856TC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC856TC 数据手册

SPICE MODELS: BC856A BC856B BC857A BC857B BC857C BC858A BC858B BC858C

BC856A - BC858C

PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features

•

Ideally Suited for Automatic Insertion

Complementary NPN Types Available (BC846-BC848)

For Switching and AF Amplifier Applications

SOT-23

Min

Dim

Max

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.180

8°

Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.085

0°

Mechanical Data

•

Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over

Alloy 42 leadframe).

Pin Connections: See Diagram

Marking Codes: See Table Below & Diagram on Page 4

Ordering & Date Code Information: See Page 4

•

Weight: 0.008 grams (approximate)

All Dimensions in mm

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

3A, K3A

Type

Marking

3G, K3G

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

3B, K3B

3J, K3J, K3A, K3V

3K, K3K, K3B, K3W

3L, K3L, K3G

3E, K3V, K3A

3F, K3W, K3B

Maximum Ratings @T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

BC856

BC857

BC858

-80

-50

-30

V_CBO

BC856

BC857

BC858

-65

-45

-30

V_CEO

Emitter-Base Voltage

V_EBO

I_C

-5.0

-100

°C/W

°C

Collector Current

Peak Collector Current

I_CM

-200

Peak Emitter Current

I_EM

-200

Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

P_d

300

417

R_θJA

T_j, T_STG

-65 to +150

Notes:

1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001,

which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856.

3. No purposefully added lead.

DS11207 Rev. 18 - 2

1 of 4

BC856A-BC858C

www.diodes.com

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC856TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856TR13LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856TRL	NXP	获取价格	100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC856TRL13	NXP	获取价格	100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC856TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856U	KODENSHI	获取价格	General purpose application
BC856U	AUK	获取价格	PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC856U	INFINEON	获取价格	PNP Silicon AF Transistor Array
BC856UA	KODENSHI	获取价格	Transistor,

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