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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC856TC
BC856TC PDF预览

BC856TC

更新时间： 2024-02-25 00:14:56
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 271K
描述
100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC856TC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-70包装说明：PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.04Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：5 pF
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.65 VBase Number Matches：1

BC856TC 数据手册

 浏览型号BC856TC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC856TC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC856TC的Datasheet PDF文件第4页 
SPICE MODELS: BC856A BC856B BC857A BC857B BC857C BC858A BC858B BC858C  
BC856A - BC858C  
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
Features  
•
•
•
•
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Complementary NPN Types Available (BC846-BC848)  
For Switching and AF Amplifier Applications  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
B
C
D
E
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Mechanical Data  
•
•
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over  
Alloy 42 leadframe).  
Pin Connections: See Diagram  
Marking Codes: See Table Below & Diagram on Page 4  
Ordering & Date Code Information: See Page 4  
•
•
•
G
H
J
•
•
•
•
K
L
M
α
Weight: 0.008 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
Marking Code (Note 2)  
Type  
Marking  
3A, K3A  
Type  
Marking  
3G, K3G  
BC856A  
BC856B  
BC857A  
BC857B  
BC857C  
BC858A  
BC858B  
BC858C  
3B, K3B  
3J, K3J, K3A, K3V  
3K, K3K, K3B, K3W  
3L, K3L, K3G  
3E, K3V, K3A  
3F, K3W, K3B  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
-80  
-50  
-30  
VCBO  
V
BC856  
BC857  
BC858  
-65  
-45  
-30  
VCEO  
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
IC  
-5.0  
-100  
V
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Collector Current  
Peak Collector Current  
ICM  
-200  
Peak Emitter Current  
IEM  
-200  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Pd  
300  
417  
RθJA  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001,  
which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856.  
3. No purposefully added lead.  
DS11207 Rev. 18 - 2  
1 of 4  
BC856A-BC858C  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC856TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856TR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856TRL NXP

获取价格

 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC856TRL13 NXP

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 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC856TRLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC856U KODENSHI

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 		General purpose application
BC856U AUK

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 		PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC856U INFINEON

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 		PNP Silicon AF Transistor Array
BC856UA KODENSHI

获取价格

 		Transistor,

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