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BC849BW,115

更新时间: 2024-09-13 19:51:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 63K
描述
BC849W; BC850W - NPN general purpose transistors SC-70 3-Pin

BC849BW,115 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-70包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.18Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BC849BW,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC849W; BC850W  
NPN general purpose transistors  
Product data sheet  
1999 Apr 12  
Supersedes data of 1997 Jun 20  

BC849BW,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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