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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.01 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC849BLT3G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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| BC849BMTF | FAIRCHILD |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| BC849BMTF | ROCHESTER |
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100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE PACKAGE-3 |
|
| BC849BMTF_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BC849BR | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC849BR-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC849BR-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC849BS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BC849BT | INFINEON |
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NPN Silicon AF Transistors |
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| BC849BT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
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