BC849BW

更新时间： 2024-10-31 22:54:03

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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC849BW 数据手册

BC 846W ... BC 850W

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

SOT-323

±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 846W

BC 847W

BC 848W

BC 850W

BC 849W

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

65 V

80 V

6 V

45 V

50 V

30 V

5 V

200 mW ¹)

100 mA

200 mA

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

- I_EM

T_j

150

ꢀC

T_S

- 65…+ 150 C

ꢀ

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

ꢀ

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverstärkung h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 k

ꢁ

3.2...8.5 k

ꢁ

6...15 k

60 < 110

ꢁ

18 < 30

ꢀ

30 < 60

ꢀ

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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BC849BW 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC849BW	NEXPERIA	功能相似	NPN general purpose transistorsProduction
BC849BW	PANJIT	功能相似	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

与BC849BW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC849BW,115	NXP	获取价格	BC849W; BC850W - NPN general purpose transistors SC-70 3-Pin
BC849BW,135	ETC	获取价格	TRANS NPN 30V 0.1A SOT323
BC849BW/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC849BW-AU	PANJIT	获取价格	SOT-323
BC849BWE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC849BWE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC849BWT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC849BW-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC849BW-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC849C	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

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