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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC846BLT1
BC846BLT1 PDF预览

BC846BLT1

更新时间： 2024-09-14 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 223K
描述
CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

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BC846BLT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：4.5 pF集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BC846BLT1 数据手册

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by BC846ALT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
BC846, BC847 and BC848 are  
Motorola Preferred Devices  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
BC847 BC848  
BC850 BC849  
Rating  
Symbol BC846  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
V
65  
80  
45  
50  
30  
30  
CEO  
CBO  
EBO  
1
V
2
6.0  
100  
6.0  
100  
5.0  
100  
V
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
T
A
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
°C/W  
JA  
D
P
Alumina Substrate, (2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC846ALT1 = 1A; BC846BLT1 = 1B; BC847ALT1 = 1E; BC847BLT1 = 1F;  
BC847CLT1 = 1G; BC848ALT1 = 1J; BC848BLT1 = 1K; BC848CLT1 = 1L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage BC846A,B  
V
65  
45  
30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
(I = 10 mA)  
BC847A,B,C, BC850A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C  
C
Collector–Emitter Breakdown Voltage BC846A,B  
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 10 µA, V  
C EB  
= 0)  
BC847A,B,C, BC850A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C  
Collector–Base Breakdown Voltage  
BC846A,B  
V
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
(I = 10 A)  
C
BC847A,B,C, BC850A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
BC846A,B  
6.0  
6.0  
5.0  
—
—
—
—
—
—
(I = 1.0 A)  
E
BC847A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C, BC850A,B,C  
Collector Cutoff Current (V  
(V  
= 30 V)  
= 30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
15  
5.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC846BLT1G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
BC846BLT3 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC846BLT3 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC846BLT3G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
BC846BM NEXPERIA

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