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BC808.25TR13

更新时间: 2024-11-20 18:05:23
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CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 103K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BC808.25TR13 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.09
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):160
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.7 V
Base Number Matches:1

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