5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.08 |
| 基于收集器的最大容量： | 8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC808.40LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN |
|
| BC808.40LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
|
| BC808.40TR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC808.40TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC808_15 | UTC |
获取价格 |
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
|
| BC80816 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Switching and Amplifier Applications |
|
| BC808-16 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BC808-16 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Switching and Amplifier Applications |
|
| BC808-16 | MCC |
获取价格 |
PNP Silicon General Purpose Transistors |
|
| BC808-16 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current High curren |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
