BC808-16W

更新时间： 2024-01-30 05:10:57

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
PNP Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain)

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BC808-16W 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.35
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BC808-16W 数据手册

BC 807-16W

PNP Silicon AF Transistor

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BC817W, BC818W (NPN)

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

SOT-323

BC 807-16W 5As

BC 807-25W 5Bs

BC 807-40W 5Cs

BC 808-16W 5Es

BC 808-25W 5Fs

BC 808-40W 5Gs

Q62702-C2325

Q62702-C2326

Q62702-C2327

Q62702-C2328

Q62702-C2329

Q62702-C2330

1 = B

2 = E

3 = C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

BC 807 W

CEO

CBO

EBO

BC 808 W

Collector-base voltage

BC 807 W

BC 808 W

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

500

100

°C

Total power dissipation, T = 130°C

250

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction ambient

215

K/W

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm²Cu

Semiconductor Group

Dec-19-1996

12 3 4 5

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