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BC808 PDF预览

BC808

更新时间： 2024-09-16 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 74K
描述
Switching and Amplifier Applications

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BC808 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.07
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC808 数据手册

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BC807/BC808  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC817/BC818  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
: BC807  
: BC808  
-50  
-30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC807  
: BC808  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-800  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-310  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC807  
: BC808  
-45  
-25  
V
V
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -0.1mA, V =0  
C BE  
: BC807  
: BC808  
-50  
-30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
I = -0.1mA, I =0  
-5  
V
E
C
I
I
V
= -25V, V =0  
-100  
-100  
630  
nA  
nA  
CES  
EBO  
CE  
EB  
BE  
V
= -4V, I =0  
C
h
h
V
V
= -1V, I = -100mA  
100  
60  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -300mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.7  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -300mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
100  
MHz  
T
CE  
C
f=50MHz  
C
Output Capacitance  
V
= -10V, f=1MHz  
12  
pF  
ob  
CB  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123456

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BC808 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC80840MTF ONSEMI

功能相似

 PNP Bipolar Transistor
BC808 RECTRON

功能相似

 SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

与BC808相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC808.16 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
BC808.16BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.16TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.16TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
BC808.25BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25LT1G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
BC808.25TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.40 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,

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