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BC549A

更新时间： 2024-11-04 20:27:43

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	99K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC549A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	1.78	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

BC549A 数据手册

BC546 ... BC549

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2006-05-31

Power dissipation – Verlustleistung

Plastic case

Kunststoffgehäuse

500 mW

TO-92

(10D3)

C B E

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC546

85 V

BC547

50 V

BC548/549

30 V

Collector-Emitter-voltage

E-B short

B open

E open

C open

V_CES

V_CEO

V_CBO

V_EB0

P_tot

Collector-Emitter-voltage

65 V

45 V

30 V

Collector-Base-voltage

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10 µA

h_FE

typ. 90

110 ... 220

typ. 120

typ. 150

200 ... 450

typ. 200

typ. 270

420 ... 800

typ. 400

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

h-Parameters at/bei V_CE= 5 V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

1.6 ... 4.5 kΩ 3.2 ...8.5 kΩ

6 ... 15 kΩ

h_oe

18 < 30 µS

30 < 60 µS

typ. 2*10^-4

60 < 110 µS

Reverser voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ. 1.5*10^-4

typ. 3*10^-4

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC549-A	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC549ABK	DIOTEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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