BC549ABK

更新时间： 2024-11-20 13:05:51

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC549ABK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

BC549ABK 数据手册

BC 546 ... BC 549

NPN

General Purpose Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 546

65 V

85 V

80 V

6 V

BC 547

45 V

50 V

6 V

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

150ꢀC

BC 548/549

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted

E open

V_CE0

V_CES

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

C open

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 120

typ. 150

200...450

typ. 200

typ. 270

420...800

typ.400

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverst.

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausgangsleitwert

h_fe

h_ie

h_oe

typ. 220

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

typ. 330

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

typ. 600

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

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