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BC337-25ZL1G

更新时间: 2024-11-04 03:04:59
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安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管
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5页 66K
描述
Amplifier Transistors NPN Silicon

BC337-25ZL1G 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.37Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):160
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):210 MHz
Base Number Matches:1

BC337-25ZL1G 数据手册

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BC337-25ZL1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC337-25RL1G ONSEMI

完全替代

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完全替代

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