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BC337-40BK

更新时间： 2024-02-14 13:50:27

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC337-40BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.06	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC337-40BK 数据手册

BC337-xBK / BC338-xBK

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2010-05-27

4.6^±0.1

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

B E

Special packaging bulk

Sonder-Lieferform Schüttgut

2 x 1.27

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC337

BC338

30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open

V_CES

V_CEO

V_EBO

P_tot

I_C

50 V

45 V

25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

C open

5 V

625 mW ¹)

800 mA

1 A

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Base current – Basisstrom

I_CM

I_B

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

160

250

160

250

400

250

400

630

V_CE= 1 V, I_C= 300 mA

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

170

130

200

320

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

0.7 V

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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BC337-40BK 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC33725TA	ONSEMI	类似代替	NPN Bipolar Transistor
BC33725BU	ONSEMI	类似代替	NPN Bipolar Transistor
BC337-40	DIOTEC	类似代替	Si-Epitaxial PlanarTransistors

与BC337-40BK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC337-40-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC33740BU	ROCHESTER	获取价格	800mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
BC33740BU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33740BU	ONSEMI	获取价格	NPN Bipolar Transistor
BC33740D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-40D26Z	FAIRCHILD	获取价格	800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33740D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-40D27Z	FAIRCHILD	获取价格	800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33740D74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-40D74Z	FAIRCHILD	获取价格	800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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