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BC337-40-BP PDF预览

BC337-40-BP

更新时间： 2024-11-03 20:38:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 418K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC337-40-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.07最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.625 W最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：210 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

BC337-40-BP 数据手册

 浏览型号BC337-40-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC337-40-BP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC337-40-BP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
BC337-16/25/40  
BC338-16/25/40  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
NPN  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
xꢀ Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.  
xꢀ Collector-current 0.8A  
xꢀ Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
xꢀ Operating temperature : -55к to +150к  
xꢀ Storage temperature : -55к to +150к  
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
---  
Vdc  
BC337  
BC338  
45  
25  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µAdc, IE=0)  
---  
---  
Vdc  
C
BC337  
BC338  
50  
30  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
5.0  
Vdc  
Collector Cutoff Current  
(VCB=45Vdc,IE=0)  
(VCB=25Vdc,IE=0)  
µAdc  
BC337  
BC338  
---  
---  
0.1  
0.1  
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=40Vdc,IB=0)  
(VCE=20Vdc,IB=0)  
µAdc  
µAdc  
D
BC337  
BC338  
---  
---  
---  
0.2  
0.2  
0.1  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
ON CHARACTERISTICS  
C
C
B
B
E
hFE(1)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
DC Current Gain  
(IC=300mAdc, VCE=1.0Vdc)  
60  
---  
---  
0.7  
1.2  
--  
E
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Vdc  
Vdc  
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc,IB=50mAdc)  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
fT  
Current-Gain-Bandwidth Product  
(VCE=5.0V, f=100MHz, IC=10mA)  
210  
---  
MHz  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
16  
100~250  
25  
160~400  
40  
250~630  
C 011  
E
h
Straight Lead  
Bent Lead  
FE(2) (IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Marking Code  
G
A 011  
B 011  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: F  
2013/10/17  
1234

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BC337-40-BP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC337-40-AP MCC

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC337-40 DIOTEC

类似代替

 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC337-40ZL1G ONSEMI

功能相似

 Amplifier Transistors NPN Silicon

与BC337-40-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC33740BU ROCHESTER

获取价格

 		800mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
BC33740BU FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33740BU ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Transistor
BC33740D26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-40D26Z FAIRCHILD

获取价格

 		800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33740D27Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-40D27Z FAIRCHILD

获取价格

 		800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33740D74Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-40D74Z FAIRCHILD

获取价格

 		800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33740D75Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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