BC337-25-AP

更新时间： 2024-11-04 13:05:51

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美微科 - MCC		晶体晶体管开关
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BC337-25-AP 数据手册

M C C

BC337-16/25/40

BC338-16/25/40

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

NPN

Plastic-Encapsulate

Transistors

xꢀ Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.

xꢀ Collector-current 0.8A

xꢀ Collector-base Voltage :V_CBO=50V(BC337) , V_CBO=30V(BC338)

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

TO-92

Maximum Ratings

xꢀ Operating temperature : -55к to +150к

xꢀ Storage temperature : -55к to +150к

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=10mAdc, I_B=0)

---

Vdc

BC337

BC338

V_(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µAdc, I_E=0)

---

Vdc

BC337

BC338

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=10µAdc, I_C=0)

5.0

Vdc

Collector Cutoff Current

(V_CB=45Vdc,I_E=0)

(V_CB=25Vdc,I_E=0)

µAdc

BC337

BC338

---

0.1

I_CEO

Collector Cutoff Current

(V_CE=40Vdc,I_B=0)

(V_CE=20Vdc,I_B=0)

µAdc

BC337

BC338

---

0.2

0.1

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

DC Current Gain

(I_C=300mAdc, V_CE=1.0Vdc)

---

0.7

1.2

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Vdc

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc,I_B=50mAdc)

---

DIMENSIONS

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current-Gain-Bandwidth Product

(V_CE=5.0V, f=100MHz, I_C=10mA)

210

---

MHz

INCHES

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MAX

.190

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

hFE CLASSIFICATION

Classification

h_FE(1)

.190

.590

.020

.160

.104

100~250

A 011

160~400

B 011

250~630

C 011

Marking Code

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC337-25RL1G	ONSEMI	类似代替	Amplifier Transistors NPN Silicon
BC337-025G	ONSEMI	功能相似	Amplifier Transistors
BC337-25ZL1G	ONSEMI	功能相似	Amplifier Transistors NPN Silicon

与BC337-25-AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC337-25BK	DIOTEC	获取价格	暂无描述
BC33725BU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33725BU	ONSEMI	获取价格	NPN Bipolar Transistor
BC33725D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-25D26Z	FAIRCHILD	获取价格	1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33725D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-25D27Z	FAIRCHILD	获取价格	1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33725D74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-25D74Z	FAIRCHILD	获取价格	1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33725D75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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